PHASENHOMOGENITAETSVERHALTEN IM OPTISCHEN WELLENFELD MODULIERTER ELEKTROLUMINESZENZDIODEN VOM FLAECHENSTRAHLERTYP = COMPORTEMENT D'HOMOGENEITE DE PHASE DANS LE CHAMP D'ONDES OPTIQUES DE DIODES ELECTROLUMINESCENTES MODULEES DU TYPE EMETTEUR EN SURFACEZEHE A.1972; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 7; NO 10; PP. 1175-1184; ABS. ANGL.; BIBL. 11 REF.Serial Issue

ABSORPTIONSBEDINGTE PHASENSELEKTION DER STRAHLUNG MODULIERTER GAAS. LUMINESZENZDIODEN VOM FABRY-PEROT-TYP = SELECTION DE LA PHASE LIEE A L'ABSORPTION DU RAYONNEMENT DE DIODES LUMINESCENTES A GAAS MODULEES DU TYPE FABRY-PEROTZEHE A.1973; ANN. PHYS.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 29; NO 1; PP. 1-9; ABS. ANGL.; BIBL. 18 REF.Serial Issue

The stress-induced escape of migrating aluminium from silicide interconnectsZEHE, A.Semiconductor science and technology. 2001, Vol 16, Num 10, pp 817-821, issn 0268-1242Article

LICHTEMISSION AUS HALBLEITER-SCHICHTSTRUKTUREN = EMISSION LUMINEUSE A PARTIR DES STRUCTURES EN COUCHES DES SEMICONDUCTEURSHESSE L; ZEHE A.1982; WISSENSCHAFTL. Z. TECH. UNIV. DRESD.; ISSN 0043-6925; DDR; DA. 1982; VOL. 31; NO 1; PP. 165-168; BIBL. 10 REF.Article

ANNEALING DEPENDENT FAR FIELD OF GAAS-(GA, AL) AS LEDSZEHE A; JACOBS K.1973; CZECHOSL. J. PHYS.; CZECHOSL.; DA. 1973; VOL. 23; NO 5; PP. 567-575; BIBL. 14 REF.Serial Issue

LUMINESZENZEIGENSCHAFTEN VON PYROLYTISCH ABGESCHIEDENEM GAN. = PROPRIETES DE LUMINESCENCE DE GAN DEPOSE PAR PYROLYSEPETZKE WH; ZEHE A.1975; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 10; NO 2; PP. 135-145; ABS. ANGL.; BIBL. 18 REF.Article

Suppressed vacancy coalescence in dilute interconnect alloys exposed to electrotransportZEHE, A.Materials letters (General ed.). 2003, Vol 57, Num 24-25, pp 3729-3734, issn 0167-577X, 6 p.Article

OBSERVATION OF NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE IN GA_1-XIN_XAS LIGHT-EMITTING DIODES.ZEHE A; BUTTER E.1974; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1974; VOL. 25; NO 2; PP. K137-K140; BIBL. 6 REF.Article

KATODOLU-MINESZENZ AN HALBLEITERN. ANREGUNG UND REGISTRIERUNG = CATHODOLUMINESCENCE DE SEMICONDUCTEURS. EXCITATION ET ENREGISTREMENTHANSEL T; ZEHE A.1973; EXPER. TECH. PHYS.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 21; NO 1; PP. 77-85; ABS. ANGL.; BIBL. 19 REF.Serial Issue

MODULATIONSABHAENGIGE INKLINATION IM FERNFELD VON GAAS-LUMINESZENZDIODEN VOM FABRY-PEROT-TYP. = INCLINAISON DEPENDANT DE LA MODULATION DANS LE CHAMP ELOIGNE DE DIODES A LUMINESCENCE GAAS, TYPE FABRY-PEROTZEHE A; FUCHS P.1974; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1974; VOL. 9; NO 5; PP. 551-562; ABS. ANGL.; BIBL. 26 REF.Article

A selection rule of solutes for void-resistant crystalline metallic alloys exposed to electromigrationZEHE, A.Crystal research and technology (1979). 2002, Vol 37, Num 8, pp 817-826, issn 0232-1300Article

DOUBLE INJECTION IN LIGHT EMITTING (GA, IN)AS P-I-N STRUCTURES.MEISEL A; ZEHE A.1977; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 12; NO 5; PP. 481-486; ABS. ALLEM.; BIBL. 13 REF.Article

IMPROVEMENTS ON THE ELECTRICAL RESISTIVITY OF CHEMICAL BATH DEPOSITED CDS FILMS BY LASER ANNEALINGMARTINEZ G; MARTINEZ JL; ZEHE A et al.1982; APPLIED PHYSICS LETTERS; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1982; VOL. 40; NO 12; PP. 1031-1033; BIBL. 11 REF.Article

DIFFUSE STRAHLUNG AUS (GAAL) AS/GAAS-HETERODIODEN VOM FABRY-PEROT-TYP = EMISSION DIFFUSE PAR DES HETERODIODES (GAAL) AS/GAAS DU TYPE FABRY-PEROTZEHE A; JACOBS B; ALBRECHT R et al.1972; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 7; NO 12; PP. 1365-1374; ABS. ANGL.; BIBL. 10 REF.Serial Issue

EINFLUSS HEISSER LADUNGSTRAEGER AUF DIE PAARSTRAHLUNG IN HALBLEITERN = INFLUENCE DES PORTEURS DE CHARGE CHAUDS SUR LA RADIATION ENTRE PAIRES DANS LES SEMICONDUCTEURSZEHE A; JUAREZ A; NAVARRO H et al.1982; WISSENSCHAFTL. Z. TECH. UNIV. DRESD.; ISSN 0043-6925; DDR; DA. 1982; VOL. 31; NO 1; PP. 161-163; BIBL. 9 REF.Article

EINFLUSS HEISSER LADUNGSTRAEGER AUF DIE DONATOR-AKZEPTOR-PAAR-REKOMBINATION. = INFLUENCE DES PORTEURS CHAUDS SUR LA RECOMBINAISON DE PAIRE DONNEUR-ACCEPTEURHANSEL T; ZEHE A; SCHWABE R et al.1976; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 11; NO 6; PP. 653-658; ABS. ANGL.; BIBL. 10 REF.Article

A PHENOMENOLOGICAL MODEL FOR THE LUMINESCENCE OF HOT ELECTRONS IN THE HIGH EXCITATION DENSITY REGIMECARRILLO JL; REYES J; ZEHE A et al.1983; SOLID STATE COMMUNICATIONS; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1983; VOL. 45; NO 8; PP. 655-659; BIBL. 17 REF.Article

LOCALLY DETAILED ELECTROLUMINESCENCE FOR THIN OPTICAL FIBER COUPLING TO LEDSHESSE L; ZEHE A; NAVARRO H et al.1982; CRYST. RES. TECHNOL. (1979); ISSN 0232-1300; DDR; DA. 1982; VOL. 17; NO 8; PP. 993-997; BIBL. 13 REF.Article

10-30 EV OPTICAL PROPERTIES OF GANOLSON CG; LYNCH DW; ZEHE A et al.1981; PHYS. REV. B; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1981; VOL. 24; NO 8; PP. 4629-4633; BIBL. 23 REF.Article

ANALYSIS OF GHOST PEAK FORMATION IN THE EMISSION SPECTRA OF GAAS P-N JUNCTIONSZEHE A; HESSE L; REYES SR et al.1982; PHYSICA STATUS SOLIDI. (A). APPLIED RESEARCH; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1982; VOL. 69; NO 1; PP. 281-285; ABS. GER; BIBL. 11 REF.Article

X-RAY INVESTIGATIONS OF THE DEFECT STRUCTURE OF ALUMINIUM AFTER PLASTIC DEFORMATION.DRIESEL W; PUFF M; ZEHE A et al.1977; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 12; NO 8; PP. 879-883; ABS. ALLEM.; BIBL. 17 REF.Article

KATODOLUMINESZENZMESSUNGEN AN HALBLEITERN IN DER ELEKTRONENOPTISCHEN ANLAGE EF DES VEB CARL ZEISS JENA. = MESURES DE CATHODOLUMINESCENCE SUR DES SEMICONDUCTEURS DANS L'INSTALLATION ELECTROOPTIQUE EF DU VEB CARL ZEISS JENATEMPEL A; SCHWABE R; ZEHE A et al.1976; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 11; NO 3; PP. K20-K24; BIBL. 11 REF.Article

NEAR FIELD TOPOGRAPHY OF HIGH FREQUENCY MODULATED GAAS LED'S.RHEINLANDER B; ZEHE A; KRETZSCHMAR G et al.1977; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1977; VOL. 39; NO 2; PP. K139-K142; BIBL. 7 REF.Article

PROVENWECHSLER IN TIEFTEMPERATURKRYOSTATEN = ECHANGEUR D'ECHANTILLONS DANS DES CRYOSTATS POUR BASSES THANSEL T; FUCHS P; ZEHE A et al.1973; EXPER. TECH. PHYS.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 21; NO 4; PP. 375-377; ABS. ANGL.; BIBL. 2 REF.Serial Issue

Analysis of migration energy dependence on atomic number for diffusion in metalsFRITZSCH, B; ZEHE, A.Physica status solidi. B. Basic research. 1990, Vol 162, Num 2, pp K69-K71, issn 0370-1972Article